Brandix

A jakim programem zbootować FDD??

Lub pendrive??

Tak patrzałem na biosy na tej stronie ASrocka jest ich parę który wybrać acha i czy moge zrobić to za pomocą pendrve?? jeśli mam BOT USB to się chyba da??

Jeżeli bootować nośnik do do biosu to jakim programem plik botujący wrzucić??

Ok ale dalej chciał bym się dowiedzieć jak? jakim programem darmowym mogę zaktualizować bios z systemu?

Bo chodzi mi o program który by pobrał aktualizacje najnowszego biosu i wgrał go z poziomu systemu.

Na naklejkach jest dokładnie co ewereście nic wiecej nie pisze jeszcze dziwne ze w biosie mam ustawione taktowania pamieci 333mhg 400mgh a są na 266mgh nie wiem czy to wina ramu gdy na innym kompie współparacowały razem dobrze wina chipsetu czy poprostu bios jest przestarzały

dobrze to jak mam nizsze wyniki na 4 kosciach w dual chanel to co mam zrobić wyciagnąć dwie pozostałe zostawic dwa mikrony na ktorych wyniki sa lepsze?

dobrze to jak mam nizsze wyniki na 4 kosciach w dual chanel to co mam zrobić wyciagnąć dwie pozostałe zostawic dwa mikrony na ktorych wyniki sa lepsze?

pamieci zostały przełożone z innego komputera gdzie chodziły normalnie w dualchanel Właściwości modułu pamięci: Nazwa modułu Micron 8VDDT3264AG-335G4 Numer seryjny 0E02471Ch (474415630) Data produkcji Tydzień 38 / 2004 Rozmiar modułu 256 MB (1 rank, 4 banks) Typ modułu Unbuffered Typ pamięci DDR SDRAM Szybkość pamięci PC2700 (166 MHz) Szerokość modułu 64 bit Napięcie modułu SSTL 2.5 Metoda detekcji błędów Brak Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh Taktowanie pamięci: @ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD) @ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS) / 8-10-2 (RC-RFC-RRD) Własności modułu pamięci: Early RAS# Precharge Nieobsługiwane Auto-Precharge Nieobsługiwane Precharge All Nieobsługiwane Write1/Read Burst Nieobsługiwane Buffered Address/Control Inputs Nieobsługiwane Registered Address/Control Inputs Nieobsługiwane On-Card PLL (Clock) Nieobsługiwane Buffered DQMB Inputs Nieobsługiwane Registered DQMB Inputs Nieobsługiwane Differential Clock Input Obsługiwane Redundant Row Address Nieobsługiwane Producent modułu pamięci: Nazwa firmy Micron Technology, Inc. Informacje o produkcie http://www.micron.com/products/modules [ DIMM2: SpecTek (256 MB PC2700 DDR SDRAM) ] Właściwości modułu pamięci: Nazwa modułu SpecTek Numer seryjny 210152B4h (3025273121) Data produkcji Tydzień 41 / 2003 Rozmiar modułu 256 MB (1 rank, 4 banks) Typ modułu Unbuffered Typ pamięci DDR SDRAM Szybkość pamięci PC2700 (166 MHz) Szerokość modułu 64 bit Napięcie modułu SSTL 2.5 Metoda detekcji błędów Brak Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us) Taktowanie pamięci: @ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD) @ 100 MHz 2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS) / 6-8-2 (RC-RFC-RRD) Własności modułu pamięci: Early RAS# Precharge Nieobsługiwane Auto-Precharge Nieobsługiwane Precharge All Nieobsługiwane Write1/Read Burst Nieobsługiwane Buffered Address/Control Inputs Nieobsługiwane Registered Address/Control Inputs Nieobsługiwane On-Card PLL (Clock) Nieobsługiwane Buffered DQMB Inputs Nieobsługiwane Registered DQMB Inputs Nieobsługiwane Differential Clock Input Obsługiwane Redundant Row Address Nieobsługiwane Producent modułu pamięci: Nazwa firmy Micron Technology, Inc. Informacje o produkcie http://www.spectek.com/menus/module_main.aspx [ DIMM3: Samsung M3 68L3223DTM-CB3 ] Właściwości modułu pamięci: Nazwa modułu Samsung M3 68L3223DTM-CB3 Numer seryjny 43078761h (1636239171) Rozmiar modułu 256 MB (1 rank, 4 banks) Typ modułu Unbuffered Typ pamięci DDR SDRAM Szybkość pamięci PC2700 (166 MHz) Szerokość modułu 64 bit Napięcie modułu SSTL 2.5 Metoda detekcji błędów Brak Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh Taktowanie pamięci: @ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) @ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS) Własności modułu pamięci: Early RAS# Precharge Nieobsługiwane Auto-Precharge Nieobsługiwane Precharge All Nieobsługiwane Write1/Read Burst Nieobsługiwane Buffered Address/Control Inputs Nieobsługiwane Registered Address/Control Inputs Nieobsługiwane On-Card PLL (Clock) Nieobsługiwane Buffered DQMB Inputs Nieobsługiwane Registered DQMB Inputs Nieobsługiwane Differential Clock Input Obsługiwane Redundant Row Address Nieobsługiwane Producent modułu pamięci: Nazwa firmy Samsung Informacje o produkcie http://www.samsung.com/global/business/semiconductor [ DIMM4: Micron 8VDDT3264AG-335G4 ] Właściwości modułu pamięci: Nazwa modułu Micron 8VDDT3264AG-335G4 Numer seryjny 0E02487Eh (2118648334) Data produkcji Tydzień 38 / 2004 Rozmiar modułu 256 MB (1 rank, 4 banks) Typ modułu Unbuffered Typ pamięci DDR SDRAM Szybkość pamięci PC2700 (166 MHz) Szerokość modułu 64 bit Napięcie modułu SSTL 2.5 Metoda detekcji błędów Brak Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh Taktowanie pamięci: @ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD) @ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS) / 8-10-2 (RC-RFC-RRD) Własności modułu pamięci: Early RAS# Precharge Nieobsługiwane Auto-Precharge Nieobsługiwane Precharge All Nieobsługiwane Write1/Read Burst Nieobsługiwane Buffered Address/Control Inputs Nieobsługiwane Registered Address/Control Inputs Nieobsługiwane On-Card PLL (Clock) Nieobsługiwane Buffered DQMB Inputs Nieobsługiwane Registered DQMB Inputs Nieobsługiwane Differential Clock Input Obsługiwane Redundant Row Address Nieobsługiwane

RÓZNICA PRZEPUSTOWOŚĆ TO BEZ DUAL CHANEL 3515MB/SEK A NA DWÓCH KOŚCIACH TYPU MIKRON 4850

MB/SEK